太阳能电池及其制备方法
公开
摘要
本申请提供一种太阳能电池及其制备方法，所述太阳能电池包括硅基底、分设在所述硅基底两侧的正面电极与背面电极，所述硅基底正面依次层叠设置有隧穿层、掺杂多晶硅层与减反射层，所述正面电极穿过所述减反射层并与所述掺杂多晶硅层相接触；所述硅基底的背面依次层叠设置有本征非晶硅层、掺杂非晶层与透明导电层，所述背面电极设置在所述透明导电层背离所述硅基底一侧的表面上。本申请太阳能电池及其制备方法能够改善电池表面的钝化性能，减少电池正面相关膜层对入射光线的寄生吸收，增加入射光线的利用率，并通过所述本征非晶硅层、掺杂非晶层作为背面钝化结构，减少高温制程及高温制程中可能演化出现的缺陷，提高电池寿命。
基本信息
专利标题 ：
太阳能电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114613866A
申请号 ：
CN202011338916.X
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2020-11-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李兵邓伟伟蒋方丹
申请人 ：
嘉兴阿特斯技术研究院有限公司
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市秀洲区高照街道康和路325号1号楼、2号楼
代理机构 ：
苏州威世朋知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
段友强
优先权 ：
CN202011338916.X
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/18
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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