一种硅单晶及其制备方法、硅片、太阳能电池和组件
公开
摘要
本发明提供一种硅单晶，含有磷和镓，硅单晶含有磷和镓部分的单位长度轴向电阻率的变化量为0‑0.3Ω·cm/m；沿硅单晶头部至尾部方向，硅单晶的头部的磷浓度低于尾部的磷浓度。本发明的有益效果是单晶电阻率均匀性好，单晶棒长增加，生产效率提高。
基本信息
专利标题 ：
一种硅单晶及其制备方法、硅片、太阳能电池和组件
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114622278A
申请号 ：
CN202011424697.7
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2020-12-08
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
杨志刘有益王林沈浩平张雪囡高利强程立波钟旭阿古达木
申请人 ：
内蒙古中环协鑫光伏材料有限公司
申请人地址 ：
内蒙古自治区呼和浩特市赛罕区阿木尔南街19号
代理机构 ：
天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
栾志超
优先权 ：
CN202011424697.7
主分类号 ：
C30B29/06
IPC分类号 ：
C30B29/06 C30B15/04 H01L31/0288
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B29/00
以材料或形状为特征的单晶或具有一定结构的均匀多晶材料
C30B29/02
元素
C30B29/06
硅
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
