本发明涉及一种重掺杂硅片、晶硅太阳能电池及其制备方法。包括如下步骤：将硅片的正面依次进行制绒和扩散处理，得到待掺杂硅片；确定待掺杂硅片正面的金属栅线区域及位于金属栅线区域以外的标记区；采用激光依次连续地在标记区形成标记图形及在金属栅线区域进行激光掺杂形成重掺杂区；激光在形成标记图形时的打标速度小于在形成重掺杂区时的打标速度。上述制备方法改变了标记图形和重掺杂区的打标顺序，很好地解决从较高的打标速度至较低的打标速度的转化过程中的能量急速改变问题，也避免了打标速度转变带来的激光不稳定的问题，形成的标记图形清晰完整，便于后续形成金属栅线准确定位，大大改善了金属栅线偏移和失效的问题，提高了良品率。