本发明揭示了一种晶硅扩散死层处理方法及晶硅太阳能电池，所述方法包括：S1、通过第一溶液对晶硅表面进行腐蚀，去除晶硅表面在PN结扩散工艺中形成的PSG层；S2、通过第二溶液对晶硅表面进行刻蚀，去除晶硅表面的扩散死层；S3、通过第三溶液对晶硅表面进行腐蚀，去除晶硅表面形成的纳米尺度多孔硅结构。本发明可有效去除晶硅表面的扩散死层，降低表层的磷掺杂浓度及光生载流子的复合速率，提高电池片的开路电压，同时对原有的绒面结构无影响，保持着良好的陷光效果，保证了电池片的光电转换效率；本发明可与现行量产工艺兼容，主要工序在常温下即可进行，可以较好地控制反应速度和刻蚀程度，操作简单，能耗低。