一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请实施例提供一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法，涉及晶硅太阳能电池领域。隧穿氧化层的制备方法主要是先在硅片表面形成富余‑OH，再采用等离子体增强原子层沉积法，在硅片背面沉积形成隧穿氧化层。N型双面太阳能晶硅电池的制备方法主要是将N型硅片依次进行清洗制绒、硼扩散、碱抛光；在正面依次形成P型掺杂层、钝化层、减反射层；在背面先形成隧穿氧化层，再形成N型掺杂多晶硅层，进行退火后，形成减反射层。采用该方法制得的SiOx层的生长速度快，且连续、致密，吸杂与阻塞效果优异，膜厚精确可控，经高温退火后具有高密度、大尺寸的针孔。
基本信息
专利标题 ：
一种隧穿氧化层、N型双面太阳能晶硅电池及制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114373831A
申请号 ：
CN202111650174.9
公开（公告）日 ：
2022-04-19
申请日 ：
2021-12-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
张明孟夏杰吴伟梁徐文州陈浩邓明璋邢国强姚骞
申请人 ：
通威太阳能（眉山）有限公司
申请人地址 ：
四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
代理机构 ：
北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
吕露
优先权 ：
CN202111650174.9
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L21/02 H01L31/0216 H01L31/068 C23C16/40
法律状态
2022-05-06 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 31/18
申请日 : 20211230
申请日 : 20211230
2022-04-19 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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