晶硅太阳能电池片
授权
摘要
本实用新型涉及一种晶硅太阳能电池片。太阳能电池片包括基体片，基体片包括P型硅片、顶钝化层、隧穿层和底钝化层。隧穿层设置在P型硅片的底表面上并具有空穴传输能力；底钝化层为掺杂硼的钝化层，底钝化层设置在隧穿层的底表面上。本实用新型提供了基于P型硅片的钝化结构，该结构与现有的PERC钝化技术兼容度较高，有利于太阳能电池片的产业化发展。本实用新型还提供了将具有空穴传输能力的材料作为隧穿层的方案，使得隧穿层在选择空穴的同时阻挡电子传输，优化电池性能。
基本信息
专利标题 ：
晶硅太阳能电池片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201922303413.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-12-19
授权号 ：
CN211929500U
授权日 ：
2020-11-13
发明人 ：
常青姚骞张家峰马列王秀鹏
申请人 ：
通威太阳能（眉山）有限公司
申请人地址 ：
四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
刘迎春
优先权 ：
CN201922303413.8
主分类号 ：
H01L31/0216
IPC分类号 ：
H01L31/0216 H01L31/0236 H01L31/074 H01L31/18
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法律状态
2020-11-13 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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