晶硅太阳能电池片
授权
摘要
本实用新型涉及一种晶硅太阳能电池片。其包括：N型硅片；配置在N型硅片的顶表面的P型掺杂层；配置在N型硅片底表面的二氧化硅隧穿层；在P型掺杂层的顶表面配置二氧化硅保护层之后配置的N型钝化层，N型钝化层为多晶硅钝化层或掺杂多晶硅钝化层，N型钝化层设置在二氧化硅隧穿层的底表面上。根据本实用新型，在制备N型钝化层之前先在硅片的顶表面上设置一层二氧化硅保护层，避免在制备N型钝化层时磷绕镀到顶表面，即能够保证电池片的PN结不被破坏，不容易产生电池短路或失效的问题。其中，通入硅源形成的二氧化硅保护层结构致密，能够起到优异的保护作用。
基本信息
专利标题 ：
晶硅太阳能电池片
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202021157912.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-06-19
授权号 ：
CN212625614U
授权日 ：
2021-02-26
发明人 ：
姚骞常青张家峰马列王秀鹏
申请人 ：
通威太阳能（眉山）有限公司
申请人地址 ：
四川省眉山市东坡区修文镇进修路8号附1号
代理机构 ：
北京市金杜律师事务所
代理人 ：
刘迎春
优先权 ：
CN202021157912.7
主分类号 ：
H01L31/18
IPC分类号 ：
H01L31/18 H01L31/068 H01L31/0216
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法律状态
2021-02-26 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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