本发明公开了一种应用集成电路废弃硅片生产太阳能电池用硅片的制造方法。它是将集成电路废弃硅片用HCl、H₂SO₄去除镁、铝、锰、锌、铬、铁、镍、锡、铅比氢活泼的金属，用HNO₃去除铜、汞、银过渡金属，用HF、HNO₃混酸去除金属硅化物、硅氧化物、硅氮化物，再用单面减薄、双面研磨减薄的方法以去除器件工艺中的有源区，得到原有电阻率的硅片，并经清洗、分类、检测、分档，生产出太阳能电池用的硅片。本发明有效利用了集成电路生产中的废弃的硅片，经过一系列处理，除去了硅片一定厚度内的硅物理层，同时将这一部分的杂质及结构变异一同除去，所得到的硅片比一般的太阳能硅片具有更少的杂质和更完整晶体结构，生产出的太阳能器件具有更高的光电转换效率。