硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法
公开
摘要
本发明涉及一种硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法。该硅片的碱抛光方法包括：前清洗、碱抛光、后清洗、酸洗、慢提拉及干燥步骤。其中第一批次的碱抛光处理中的碱抛液为初始碱抛液，第n批次的碱抛光处理的碱抛液通过在第n‑1批次的碱抛液添加补液制得。初始碱抛液包括体积比为(320～340)：(9.5～12.5)：(2.5～3.5)的水、碱液及碱抛添加剂；补液中水、碱液及碱抛添加剂的比例为(5.5～6.5)：(0.24～0.28)：(0.17～0.20)。通过调整碱抛液的配方，上述硅片的碱抛光方法中硅片的减重量较小，能够减少硅片碱抛光减重量，降低制备过程中的碎片率，且经碱抛光的硅片背抛面光亮平整。
基本信息
专利标题 ：
硅片的碱抛光方法、PERC电池及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114628252A
申请号 ：
CN202210231922.8
公开（公告）日 ：
2022-06-14
申请日 ：
2022-03-09
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
胡劲松彭彪谢代鹏鲁传磊谈鹏远吕武朱昌俊孙才杨韦再华
申请人 ：
通威太阳能（安徽）有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市蜀山区高新区长宁大道与习友路交口西南角
代理机构 ：
华进联合专利商标代理有限公司
代理人 ：
吴晓雯
优先权 ：
CN202210231922.8
主分类号 ：
H01L21/306
IPC分类号 ：
H01L21/306 H01L31/0236 H01L31/18 C09G1/04
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/302
改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割
H01L21/306
化学或电处理，例如电解腐蚀
法律状态
2022-06-14 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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