硅片抛光过程中的测厚方法、系统及抛光装置
公开
摘要
本申请涉及半导体抛光技术领域，特别是涉及一种硅片抛光过程中的测厚方法、系统及抛光装置，该方法包括：建立硅片抛光过程中电机的转矩、转速及抛光时间与硅片厚度的函数关系模型；基于采集的所述电机的转矩、转速、抛光时间及所述函数关系模型，确定所述硅片厚度。本发明通过建立硅片抛光过程中电机的转矩、转速及抛光时间与硅片厚度的函数关系模型，再基于采集的所述电机的转矩、转速、抛光时间及所述函数关系模型，确定所述硅片厚度，能够实现硅片抛光过程中的在线检测，且具有较高的准确性。
基本信息
专利标题 ：
硅片抛光过程中的测厚方法、系统及抛光装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114290156A
申请号 ：
CN202111445050.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
朱亮李阳健张雪纯严浩王宇泽
申请人 ：
浙江晶盛机电股份有限公司
申请人地址 ：
浙江省绍兴市上虞区通江西路218号
代理机构 ：
杭州华进联浙知识产权代理有限公司
代理人 ：
李丽华
优先权 ：
CN202111445050.7
主分类号 ：
B24B7/22
IPC分类号 ：
B24B7/22 B24B29/02 B24B27/00 B24B49/00 B24B49/02 B24B47/12 G06F30/20
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B24
磨削；抛光
B24B
用于磨削或抛光的机床、装置或工艺（用电蚀入B23H；磨料或有关喷射入B24C；电解浸蚀或电解抛光入C25F3/00；磨具磨损表面的修理或调节；磨削，抛光剂或研磨剂的进给
B24B7/00
适用于磨削工件平面的机床或装置，包括抛光平面玻璃表面；及其附件
B24B7/20
以被磨非金属制品的材料性质为特征专门设计的
B24B7/22
用于磨削无机材料，如石头，陶瓷，瓷器
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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