一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法

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摘要

本发明提供了一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法，属于硅片刻蚀技术领域，具体是利用包含研磨颗粒、甘油、有机胺化合物、酒石酸钠、含氟非离子表面活性剂、酒石酸钠的碱性抛光液，通过表面预处理、表面刻蚀抛光、碱清洗、酸清洗、水洗等步骤对单晶硅进行刻蚀抛光，实现了较低温度下的刻蚀抛光，能耗减少，刻蚀抛光效果好，硅片减薄量低，硅片表面反射率、电池的转化效率得到有效提高。

基本信息

专利标题：

一种单晶硅片的碱刻蚀抛光方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN113980580A

申请号：

CN202111597932.5

公开（公告）日：

2022-01-28

申请日：

2021-12-24

授权号：

CN113980580B

授权日：

2022-04-08

发明人：

李一鸣吴冰张震华

申请人：

绍兴拓邦电子科技有限公司

申请人地址：

浙江省绍兴市越城区斗门街道三江东路22号8幢车间13-1

代理机构：

绍兴锋行知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

徐锋

优先权：

CN202111597932.5

主分类号：

C09G1/02

IPC分类号：

C09G1/02 C09K23/42 C09K23/22 C07C231/12 C07C231/14 C07C235/52 C08G65/28 H01L21/02 H01L21/306 H01L31/18