一种传感器单晶硅刻蚀质量监测方法
实质审查的生效
摘要
本发明涉及一种传感器单晶硅刻蚀质量监测方法,属于传感器生产领域。方法包括:根据历史时间段内预设时间间隔的刻蚀片架角位移序列和单晶硅受离子轰击压力序列计算得到刻蚀质量第一指标;根据历史时间段内预设时间间隔的刻蚀片架角位移序列、刻蚀片架旋转保持趋势序列和排气流量序列计算得到刻蚀质量第二指标;根据刻蚀质量第一指标和刻蚀质量第二指标计算刻蚀质量综合指标;根据历史时间段内每天的刻蚀质量综合指标预测未来目标时刻的刻蚀质量综合指标,若未来目标时刻的刻蚀质量综合指标小于质量阈值,则对刻蚀加工过程进行调整。本发明能够实现对刻蚀质量的预测,以在预测出的刻蚀质量不能够满足要求时及时调整刻蚀加工过程。
基本信息
专利标题 :
一种传感器单晶硅刻蚀质量监测方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114481333A
申请号 :
CN202210140588.5
公开(公告)日 :
2022-05-13
申请日 :
2022-02-16
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
奎建明
申请人 :
淮安纳微传感器有限公司
申请人地址 :
江苏省淮安市淮阴区(工业园区)南昌路605号三层
代理机构 :
江苏长德知识产权代理有限公司
代理人 :
罗茜
优先权 :
CN202210140588.5
主分类号 :
C30B33/12
IPC分类号 :
C30B33/12 C30B29/06
IPC结构图谱
C
C部——化学;冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长;共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层;材料的区熔精炼;具有一定结构的均匀多晶材料的制备;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料;单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理;其所用的装置
C30B33/00
单晶或具有一定结构的均匀多晶材料的后处理
C30B33/08
侵蚀
C30B33/12
在气体气氛或等离子体内
法律状态
2022-05-31 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 33/12
申请日 : 20220216
申请日 : 20220216
2022-05-13 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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