一种传感器单晶硅片用的均匀刻蚀设备

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摘要

本实用新型涉及一种传感器单晶硅片用的均匀刻蚀设备，包括刻蚀箱体以及置于刻蚀箱体侧壁上的多个均匀分布的电磁线圈，还包括置于刻蚀箱体内的旋转片架机构、置于刻蚀箱体外的送气机构以及置于刻蚀箱体上端的抽风机，送气机构的送气端置于刻蚀箱体的下方，刻蚀箱体内壁具有多个导流体，多个导流体呈螺旋状向上盘旋设置，送气机构内的刻蚀气体呈螺旋状绕着旋转片架机构向上盘旋并从抽风机排出，导流体为开口朝内设置的圆弧状结构，导流体的一端与刻蚀箱体的内壁相切，导流体的另一端向外呈圆弧状延伸。本实用新型具有如下优点：有效实现对传感器单晶硅片的均匀刻蚀，保证刻蚀精度。

基本信息

专利标题：

一种传感器单晶硅片用的均匀刻蚀设备

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

暂无

申请号：

CN202022345188.7

公开（公告）日：

暂无

申请日：

2020-10-21

授权号：

CN214152852U

授权日：

2021-09-07

发明人：

尹志平

申请人：

启东双赢电子科技有限公司

申请人地址：

江苏省南通市启东市寅阳镇庆佳村洪佳路8号

代理机构：

北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)

代理人：

席卷

优先权：

CN202022345188.7

主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/67