一种传感器单晶硅片刻蚀用的送气机构
授权
摘要
本实用新型涉及一种传感器单晶硅片刻蚀用的送气机构，包括气体混合箱以及连接气体混合箱与刻蚀箱体的送气管，送气管与刻蚀箱体之间通过气密件实现密封连接，气体混合箱的上端具有气体导入口，气体混合箱内的上方具有风扇，气体混合箱内的下端一侧具有倾斜板，气体混合箱内的下端另一侧具有倾斜设置的过滤网，气体混合箱的底部具有落灰口，落灰口置于过滤网与倾斜板之间，落灰口向外部连接有排灰管，所述排灰管上具有阀门，过滤网为不锈钢网状结构，且过滤网的上下端与气体混合箱固定连接。本实用新型具有如下优点：有效实现对刻蚀气体的混合以及除尘，防止送气机构与刻蚀箱体连接处的漏气以及连接松动。
基本信息
专利标题 ：
一种传感器单晶硅片刻蚀用的送气机构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202022348774.7
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2020-10-21
授权号 ：
CN213752634U
授权日 ：
2021-07-20
发明人 ：
尹志平
申请人 ：
启东双赢电子科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省南通市启东市寅阳镇庆佳村洪佳路8号
代理机构 ：
北京和信华成知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
席卷
优先权 ：
CN202022348774.7
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2021-07-20 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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