单晶硅多参量差压传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶硅多参量差压传感器，包括芯片管座；芯片管座下端安装槽内固定有绑定板，绑定板上具有差压芯片、静压芯片、温度芯片，差压芯片和静压芯片为单晶硅芯片，正压端朝下、负压端朝上，最大耐压值为10MPa；芯片管座上部设有正、负压充油导管；芯片管座中部设有相互隔离的正、负压通道，正压通道下端连通差压芯片和静压芯片正压端，正压通道上端连接正压充油导管，负压通道下端连接差压芯片负压端，负压通道上端连接负压充油导管；芯片管座设置有电性接口，电性接口直接贯穿芯片管座和绑定板。该传感器芯片耐压能力达到10MPa，无需中心膜片保护，使得静压量程和差压量程不再受限，解决了微小差压，大静压测量的问题。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅多参量差压传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920777658.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-28
授权号 ：
CN209961384U
授权日 ：
2020-01-17
发明人 ：
陈立新牟恒
申请人 ：
江苏德新科智能传感器研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区迎翠路7号（江宁开发区）
代理机构 ：
南京睿之博知识产权代理有限公司
代理人 ：
周中民
优先权 ：
CN201920777658.1
主分类号 ：
G01L13/06
IPC分类号 ：
G01L13/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L13/00
测量两个或更多个流体压力差值的设备或仪表
G01L13/06
应用电或磁的压敏元件的
法律状态
2020-01-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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