全焊接单晶硅传感器
授权
摘要
本申请公开了一种全焊接单晶硅传感器，包括圆柱状的进压头、压力芯体和外接接头，所述进压头的一端凹设有用于容纳所述压力芯体的安装槽，所述压力芯体包括壳体和封装于所述壳体中的扩散硅压力敏感芯片，所述壳体靠近所述进压头的一端滑配安装于所述安装槽内，所述壳体背离所述进压头的一端焊接固定于所述进压头，所述外接接头靠近所述进压头的一端套设于所述进压头的顶端，并通过焊接固定于所述进压头，所述进压头背离所述安装槽的一端中心凹设有冲油孔，所述冲油孔连通于所述安装槽。本申请结构简单，降低制造成本，解决传感器不耐腐蚀及高温问题，具有高稳定性和高可靠性。
基本信息
专利标题 ：
全焊接单晶硅传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921306806.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-13
授权号 ：
CN210198624U
授权日 ：
2020-03-27
发明人 ：
武羿廷
申请人 ：
苏州轩胜仪表科技有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市太仓市城厢镇弇山西路158号
代理机构 ：
无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
王闯
优先权 ：
CN201921306806.8
主分类号 ：
G01L9/00
IPC分类号 ：
G01L9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L9/00
用电或磁的压敏元件测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力；用电或磁的方法传递或指示机械压敏元件的位移，该机械压敏元件是用来测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力的
法律状态
2020-03-27 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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