单晶硅高过压保护型压力传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种单晶硅高过压保护型压力传感器，包括正压本体、背压本体、管座；正压本体与外接件焊接，正压本体下端、背压本体上端设有隔离膜片，隔离膜片与正压本体、背压本体通过膜片焊环焊接形成容纳空间，正压本体上端设有管座，绑定板安装在管座下端安装槽内，传感器芯片穿过绑定板矩形孔并与绑定板绑定连接，正压本体通道上端连通传感器芯片的正压端，下端连通正压端隔离膜片，管座上设置电性接口，管座具有正压通道与背压通道，正压通道连通传感器芯片正压端、中心保护膜片，背压通道连通传感器芯片背压端、背压端隔离膜片，中心保护膜片设置在背压本体和管座之间。该压力传感器既满足密封要求又能实现与大气相通功能。
基本信息
专利标题 ：
单晶硅高过压保护型压力传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201920789702.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-05-29
授权号 ：
CN209961389U
授权日 ：
2020-01-17
发明人 ：
陈立新陈坚
申请人 ：
江苏德新科智能传感器研究院有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区迎翠路7号（江宁开发区）
代理机构 ：
南京睿之博知识产权代理有限公司
代理人 ：
周中民
优先权 ：
CN201920789702.0
主分类号 ：
G01L19/06
IPC分类号 ：
G01L19/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L19/00
用于测量流动介质的稳定或准稳定压力的仪表的零部件或附件，就这些零部件或附件而论不是特殊形式的压力计所专用的
G01L19/06
防止过负载的装置或防止被测介质对测量设备产生有害影响的装置或防止测量设备对被测介质产生有害影响的装置
法律状态
2020-01-17 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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