矩形双岛硅膜结构过压保护型压力传感器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型属半导体压力传感器领域。其芯片结构特征为，在硅膜背面有由各向异性腐蚀形成的两个对称矩形硅岛，硅岛端面与器件衬底之间有一层间隙，硅膜正面相应于双岛之间的沟槽部位和岛与边框之间的沟槽部位设置力敏电阻，该组电阻联结成惠斯顿电桥。这种结构的压力传感器特点为灵敏度高，线性度好，并有过压保护功能，可广泛用于各种工业和医用测压系统，尤其是低压测量系统。
基本信息
专利标题 ：
矩形双岛硅膜结构过压保护型压力传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN88201030.1
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1988-01-28
授权号 ：
CN88201030U
授权日 ：
1988-09-07
发明人 ：
吴宪平于连忠
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市复旦大学
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN88201030.1
主分类号 ：
G01L1/18
IPC分类号 ：
G01L1/18 G01L1/20
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
1993-05-26 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1989-07-19 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
CN88201030U.PDF
PDF下载
