双岛-梁-膜结构压力传感器
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
本实用新型是一种芯片为双岛——梁——膜结构的半导体压力传感器。碰梁横贯双岛，并将硅膜分为对称的两个部分，力敏元件设置在硅梁上。与传统的膜式结果相比。有将应力二次集中的效果，提高了传感器的灵敏度和线性度。可用于微压测量领域，也可用力和加速度的测量领域。
基本信息
专利标题 ：
双岛-梁-膜结构压力传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN88211371.2
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1988-01-22
授权号 ：
CN88211371U
授权日 ：
1988-12-28
发明人 ：
王言于连忠鲍敏杭
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市邯郸路220号
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN88211371.2
主分类号 ：
G01L9/06
IPC分类号 ：
G01L9/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L9/00
用电或磁的压敏元件测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力；用电或磁的方法传递或指示机械压敏元件的位移，该机械压敏元件是用来测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力的
G01L9/02
利用改变欧姆电阻值的，例如，使用电位计
G01L9/06
压电电阻器件的
法律状态
1991-06-19 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-10-04 ：
授权
1988-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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