双岛五梁结构单块硅加速度传感器
专利权的终止未缴年费专利权终止
摘要
本实用新型属于半导体硅加速度传感器的领域。硅芯片采用双岛五梁的微机械结构，力敏元件集中在二维图形对称中心的梁区上，因而可消除或显著减小横向效应，得到横向效应小，灵敏度高而工艺可控性好的单块硅加速度传感器。
基本信息
专利标题 ：
双岛五梁结构单块硅加速度传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN90215390.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1990-10-19
授权号 ：
CN2076240U
授权日 ：
1991-05-01
发明人 ：
鲍敏杭陈健沈绍群
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
200433上海市邯郸路220号
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN90215390.0
主分类号 ：
G01P15/08
IPC分类号 ：
G01P15/08 G01D5/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01P
线速度或角速度、加速度、减速度或冲击的测量；运动的存在或不存在的指示；运动的方向的指示、传播时间或传播方向来测量固体物体的方向或速度入G01S；核辐射速度的测量入G01T）
G01P15/00
测量加速度；测量减速度；测量冲击即加速度的突变
G01P15/02
利用惯性力
G01P15/08
用变换成电或磁量
法律状态
1993-09-08 ：
专利权的终止未缴年费专利权终止
1991-12-18 ：
授权
1991-05-01 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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