梁膜结构的半导体压力传感器
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
摘要
目前广泛使用的半导体压力传感器采用硅的平膜结构，其线性度在高输出时较差，精度无法提高。本实用新型采用了梁与平膜的组合结构，利用梁结构本身线性较好的特点，并保持了平膜结构的优点，从而制造出一种新型的高精度半导体压力传感器。
基本信息
专利标题 ：
梁膜结构的半导体压力传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN88211369.0
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
1988-01-22
授权号 ：
CN88211369U
授权日 ：
1988-12-28
发明人 ：
于连忠鲍敏杭吴宪平
申请人 ：
复旦大学
申请人地址 ：
上海市邯郸路220号
代理机构 ：
复旦大学专利事务所
代理人 ：
陆飞
优先权 ：
CN88211369.0
主分类号 ：
G01L9/06
IPC分类号 ：
G01L9/06
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L9/00
用电或磁的压敏元件测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力；用电或磁的方法传递或指示机械压敏元件的位移，该机械压敏元件是用来测量流体或流动固体材料的稳定或准稳定压力的
G01L9/02
利用改变欧姆电阻值的，例如，使用电位计
G01L9/06
压电电阻器件的
法律状态
1991-06-19 ：
专利权的终止未缴纳年费专利权终止
1989-10-11 ：
授权
1988-12-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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