半导体器件、硬掩膜结构及硬掩膜结构的制造方法
授权
摘要
本公开提供一种半导体器件、硬掩膜结构及硬掩膜结构的制造方法，涉及半导体技术领域。该制造方法包括：在一基板上形成第一类金刚石碳膜层；在第一类金刚石碳膜层远离基板的表面上形成硅层，硅层在第一类金刚石碳膜层远离基板的表面形成多个成膜区域，且各成膜区域互不连通；硅层和第一类金刚石碳膜层共同构成目标膜层；向目标膜层注入硼离子，以形成掩膜层。本公开的硬掩膜结构的制造方法可防止网格畸变，提高图形转移的精确度。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件、硬掩膜结构及硬掩膜结构的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112490118A
申请号 ：
CN201910866068.0
公开（公告）日 ：
2021-03-12
申请日 ：
2019-09-12
授权号 ：
CN112490118B
授权日 ：
2022-05-17
发明人 ：
陈广辉
申请人 ：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址 ：
安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
代理机构 ：
北京律智知识产权代理有限公司
代理人 ：
王辉
优先权 ：
CN201910866068.0
主分类号 ：
H01L21/033
IPC分类号 ：
H01L21/033
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/027
未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜
H01L21/033
包括无机层的
法律状态
2022-05-17 ：
授权
2021-03-30 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/033
申请日 : 20190912
申请日 : 20190912
2021-03-12 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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