绝缘膜以及半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
本发明提供具有多个空孔的绝缘膜的形成方法。此外，提供以高成品率制造被高集成化的半导体器件的方法。在本发明中，为了实现层间绝缘膜的低介电常数化，通过使用激光束在形成层间绝缘膜中形成多个空孔来形成多孔绝缘膜。另外，使用以喷墨法为代表的液滴喷射法向所述多孔绝缘膜中排放包含导电性粒子的组成物后，烘焙来形成布线。激光束优选使用超短脉冲激光束。
基本信息
专利标题 ：
绝缘膜以及半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1797717A
申请号 ：
CN200510129035.6
公开（公告）日 ：
2006-07-05
申请日 ：
2005-11-30
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
山本裕子
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
代理人 ：
张浩
优先权 ：
CN200510129035.6
主分类号 ：
H01L21/3105
IPC分类号 ：
H01L21/3105 H01L21/768
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/30
用H01L21/20至H01L21/26各组不包含的方法或设备处理半导体材料的
H01L21/31
在半导体材料上形成绝缘层的，例如用于掩膜的或应用光刻技术的；以及这些层的后处理；这些层的材料的选择
H01L21/3105
后处理
法律状态
2018-11-23 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 21/3105
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20171130
申请日 : 20051130
授权公告日 : 20100505
终止日期 : 20171130
2010-05-05 ：
授权
2007-10-17 ：
实质审查的生效
2006-07-05 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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