半导体器件的制造方法
专利权的终止
摘要
一种高产率制造高性能的可靠的半导体器件的低温方法，包括：以TEOS作为原材料，在氧、臭氧或氧化氮气氛中，在设于绝缘衬底上的半导体涂层上，通过化学汽相淀积形成氧化硅薄膜作为栅绝缘膜；并用脉冲激光束或强光辐照，以除去诸如碳或羟基团，从而消除氧化硅薄膜中的捕获中心。
基本信息
专利标题 ：
半导体器件的制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1967791A
申请号 ：
CN200610101420.4
公开（公告）日 ：
2007-05-23
申请日 ：
1993-08-27
授权号 ：
CN100501949C
授权日 ：
2009-06-17
发明人 ：
山崎舜平张宏勇
申请人 ：
株式会社半导体能源研究所
申请人地址 ：
日本神奈川县厚木市
代理机构 ：
中国专利代理(香港)有限公司
代理人 ：
刘 杰
优先权 ：
CN200610101420.4
主分类号 ：
H01L21/336
IPC分类号 ：
H01L21/336 H01L21/3105
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21/04
至少具有一个跃变势垒或表面势垒的器件，例如PN结、耗尽层、载体集结层
H01L21/18
器件有由周期表Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料
H01L21/334
制造单极型器件的台阶式工艺
H01L21/335
场效应晶体管
H01L21/336
带有绝缘栅的
法律状态
2013-10-30 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止号牌文件类型代码 : 1605
号牌文件序号 : 101532928783
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006101014204
申请日 : 19930827
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20120827
号牌文件序号 : 101532928783
IPC(主分类) : H01L 21/336
专利号 : ZL2006101014204
申请日 : 19930827
授权公告日 : 20090617
终止日期 : 20120827
2009-06-17 ：
授权
2007-07-18 ：
实质审查的生效
2007-05-23 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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