高分子导电膜结构及其半导体组件封装结构

专利权的终止

摘要

本发明公开了一种高分子导电膜结构及其半导体组件封装结构，是以高分子与纳米导线构成的复合导电膜结构，使芯片通过高分子导电膜的数条纳米导线以低温低压金属接合方式与另一芯片电性连接，达到低接点阻抗的接合；且本发明的导电膜提供单一导电方向及多层相互间隔平行的数条导线，可应用于极小间距的芯片与芯片之间的电性连接。

基本信息

专利标题：

高分子导电膜结构及其半导体组件封装结构

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1971896A

申请号：

CN200510124004.1

公开（公告）日：

2007-05-30

申请日：

2005-11-23

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

汪若蕙陈有志

申请人：

财团法人工业技术研究院

申请人地址：

中国台湾新竹县

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司

代理人：

梁挥

优先权：

CN200510124004.1

主分类号：

H01L23/488

IPC分类号：

H01L23/488 H01L25/065

IPC结构图谱

H部——电学

H01

基本电气元件

H01L

半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件

H01L23/00

半导体或其他固态器件的零部件

H01L23/48

用于向或自处于工作中的固态物体通电的装置，例如引线或接线端装置

H01L23/488

由焊接或黏结结构组成

法律状态

2021-11-02 ：

专利权的终止

未缴年费专利权终止IPC(主分类) : H01L 23/488
申请日 : 20051123
授权公告日 : 20120104
终止日期 : 20201123

2012-01-04 ：

授权

2007-07-25 ：

实质审查的生效

2007-05-30 ：

公开

注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。

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