半导体封装组件及组装半导体封装的方法

发明专利申请公布后的视为撤回

摘要

公开了基于改善的设计和材料组合以提供改善的每I/O载流量的微电子结构。本发明的优选实施方式使用以下一个或多个的组合：(1)下凸块冶金，通过增大通道直径或者通过具有多个BLM下方的通道开口，增强每I/O的电流；(2)较厚的下凸块冶金，其中良好导体冶金的使用与增加的厚度一起使用；(3)对于电源和/或地通道连接，采用凸块冶金下方较大的通道直径、较大的焊料凸块直径和/或其它电流增强特征；(4)在无Pb合金中采用添加剂，以改变微结构，从而最小化焊料中或金属间转变处的原子迁移。

基本信息

专利标题：

半导体封装组件及组装半导体封装的方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN1835217A

申请号：

CN200610004281.3

公开（公告）日：

2006-09-20

申请日：

2006-02-13

授权号：

暂无

授权日：

暂无

发明人：

约翰·U·克尼克伯克海·P·郎沃斯罗格·A·居昂

申请人：

国际商业机器公司

申请人地址：

美国纽约

代理机构：

中国国际贸易促进委员会专利商标事务所

代理人：

王永刚

优先权：

CN200610004281.3

主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L23/48 H01L21/60