半导体组件及封装方法
授权
摘要
本发明实施例提供一种半导体组件及其形成方法。上述方法包括令第二管芯与第一管芯的表面接合。上述方法包括将所述第二管芯包覆在隔绝材料中，并且形成延伸贯穿所述隔绝材料的贯通孔。上述方法更包括在所述隔绝材料中形成第一无源组件。
基本信息
专利标题 ：
半导体组件及封装方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN107644870A
申请号 ：
CN201710596224.7
公开（公告）日 ：
2018-01-30
申请日 ：
2017-07-20
授权号 ：
CN107644870B
授权日 ：
2022-04-19
发明人 ：
余振华王垂堂
申请人 ：
台湾积体电路制造股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号
代理机构 ：
南京正联知识产权代理有限公司
代理人 ：
顾伯兴
优先权 ：
CN201710596224.7
主分类号 ：
H01L25/16
IPC分类号 ：
H01L25/16 H01L23/48 H01L21/60
相关图片
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/16
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的
法律状态
2022-04-19 ：
授权
2019-08-09 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 25/16
申请日 : 20170720
申请日 : 20170720
2018-01-30 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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