半导体封装
公开
摘要
一种半导体封装，包括：封装衬底，具有在封装衬底的顶表面上的凹陷部分；下半导体芯片，在封装衬底的凹陷部分中；上半导体芯片，在下半导体芯片和封装衬底上，并且宽度大于下半导体芯片的宽度；多个第一凸块，直接在封装衬底与上半导体芯片之间；以及多个第二凸块，直接在下半导体芯片与上半导体芯片之间。第二凸块的间距小于第一凸块的间距。
基本信息
专利标题 ：
半导体封装
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114520221A
申请号 ：
CN202110986199.X
公开（公告）日 ：
2022-05-20
申请日 ：
2021-08-25
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
金南勋
申请人 ：
三星电子株式会社
申请人地址 ：
韩国京畿道
代理机构 ：
中科专利商标代理有限责任公司
代理人 ：
纪雯
优先权 ：
CN202110986199.X
主分类号 ：
H01L25/18
IPC分类号 ：
H01L25/18 H01L23/31 H01L23/488
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L25/00
由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件
H01L25/18
包含在H01L27/00至H01L51/00各组中两个或多个同一大组的不同小组内的类型的器件
法律状态
2022-05-20 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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