半导体压力传感器
被视为撤回的申请
摘要
一个半导体应变计放置在外壳体的凹槽腔室中。在凹槽腔室内有一个台阶，在台阶的内壁周围部位上有微细的沟槽。在具有传递压力孔的金属盘外部周围，使用塑料流体封装的方法，将金属盘夹到微细的沟槽上。在台阶的平面部位放上密封薄膜之后，从而将密封薄膜紧紧地封住凹槽腔室。
基本信息
专利标题 ：
半导体压力传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN85105726A
申请号 ：
CN85105726
公开（公告）日 ：
1987-03-04
申请日 ：
1985-07-27
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
武田次郎市川范男鹤冈一广
申请人 ：
株式会社日立制作所
申请人地址 ：
日本东京都千代田区神田骏河台四丁目6番地
代理机构 ：
中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人 ：
刘晖
优先权 ：
CN85105726
主分类号 ：
G01C9/04
IPC分类号 ：
G01C9/04
相关图片
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01C
测量距离、水准或者方位；勘测；导航；陀螺仪；摄影测量学或视频测量学
G01C9/00
测量倾斜度，例如应用倾斜仪，应用水准器
G01C9/02
零部件
G01C9/04
传感元件与给出放大的读数的末级指示器之间的传输装置
法律状态
1990-10-17 ：
被视为撤回的申请
1987-03-04 ：
公开
1985-12-20 ：
实质审查请求
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
1、
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