一种岛膜结构硅压阻传感器装置
公开
摘要
本发明提供一种岛膜结构硅压阻传感器装置，包括衬底（1），在衬底（1）上设有压力敏感层（2），在衬底（1）上设有第一槽体（3），在压力敏感层（2）底部设有与第一槽体（3）连通的第二槽体（4），在第二槽体（4）内设有岛状结构（5），在压力敏感层（2）上设有氧化层（6），在压力敏感层（2）设有一组向上穿透氧化层（6）的盲孔（7），在盲孔（7）内设有压敏电阻（8），在氧化层（6）均布有一组焊盘（10），在氧化层（6）上设有连通焊盘（10）和压敏电阻（8）引线（9）。本发明基于小尺寸敏感层和E型岛膜结构结合，很好的兼顾芯片高灵敏度和线性度性能，实现传感器对敏感芯片小尺寸、高灵敏度,高精度、高可靠的要求。
基本信息
专利标题 ：
一种岛膜结构硅压阻传感器装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114295262A
申请号 ：
CN202111479343.7
公开（公告）日 ：
2022-04-08
申请日 ：
2021-12-07
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
王自刚曹卫达邹治弢闫洁周宇飞
申请人 ：
华东光电集成器件研究所
申请人地址 ：
安徽省蚌埠市经开区汤和路2016号
代理机构 ：
安徽省蚌埠博源专利商标事务所(普通合伙)
代理人 ：
杨晋弘
优先权 ：
CN202111479343.7
主分类号 ：
G01L1/18
IPC分类号 ：
G01L1/18 G01L9/06 G01L9/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2022-04-08 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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