一种硅差压传感器
授权
摘要
本实用新型公开了一种硅差压传感器，其特征在于，包括相邻的高压侧基座、低压侧基座，高压侧基座或低压侧基座上设有陶瓷部件、压力敏感芯片，高压侧基座与压力敏感芯片、高压侧隔离膜片、过载保护膜片等之间构成用于填充高压侧充灌液的高压腔路径，低压侧基座与压力敏感芯片、低压侧隔离膜片、过载保护膜片等之间构成用于填充低压侧充灌液的低压腔路径；高压侧隔离膜片、高压侧基座、过载保护膜片、低压侧基座、低压侧隔离膜片、导油管部件、芯片管座及环部件之间的全焊接结构，该全焊接结构与高低压侧充灌液的共同作用，使硅差压传感器具有可靠的单向压力过载保护及高静压功能，提高了硅差压传感器的性能。
基本信息
专利标题 ：
一种硅差压传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921356727.8
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-08-20
授权号 ：
CN210464778U
授权日 ：
2020-05-05
发明人 ：
王国益其他发明人请求不公开姓名
申请人 ：
上海自优仪器仪表有限公司
申请人地址 ：
上海市松江区新桥镇民强路227号4幢
代理机构 ：
上海申汇专利代理有限公司
代理人 ：
翁若莹
优先权 ：
CN201921356727.8
主分类号 ：
G01L19/06
IPC分类号 ：
G01L19/06 G01L13/00
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L19/00
用于测量流动介质的稳定或准稳定压力的仪表的零部件或附件，就这些零部件或附件而论不是特殊形式的压力计所专用的
G01L19/06
防止过负载的装置或防止被测介质对测量设备产生有害影响的装置或防止测量设备对被测介质产生有害影响的装置
法律状态
2020-05-05 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
文件下载
暂无PDF文件可下载
