一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器
专利权的终止
摘要
本实用新型公开了一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器，包括差速传感器本体、硅差压芯片安装仓和硅差压芯片保护压盖，所述差速传感器本体的顶部安装有硅差压芯片安装仓，所述硅差压芯片安装仓内部的两端皆设置有滑槽，且滑槽通过滑块安装有缓冲板，所述缓冲板的顶部安装有PCB板，且PCB板顶部的中间位置处安装有硅差压芯片。本实用新型安装有第一弧形保护胶圈、第二弧形保护胶圈和橡胶连接柱，第二弧形保护胶圈盖合于高压入口下方，可防止外界水汽进入硅差压芯片安装仓内，装置使用较长时间，第二弧形保护胶圈产生形变后，第一弧形保护胶圈也可有效遮挡住水汽，避免水汽与硅差压芯片接触，对硅差压芯片起到双重保护效果。
基本信息
专利标题 ：
一种具有硅差压芯片保护结构的差压传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN201921886041.X
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2019-11-05
授权号 ：
CN210513514U
授权日 ：
2020-05-12
发明人 ：
武安心刘现中
申请人 ：
武汉新辰科技有限公司
申请人地址 ：
湖北省武汉市东湖新技术开发区光谷SBI创业街特1号1楼A11-480室
代理机构 ：
北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙)
代理人 ：
傅海鹏
优先权 ：
CN201921886041.X
主分类号 ：
G01L15/00
IPC分类号 ：
G01L15/00 G01L19/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L15/00
同时测量两个或更多个流体压力值的设备或仪表
法律状态
2021-10-19 ：
专利权的终止
未缴年费专利权终止IPC(主分类) : G01L 15/00
申请日 : 20191105
授权公告日 : 20200512
终止日期 : 20201105
申请日 : 20191105
授权公告日 : 20200512
终止日期 : 20201105
2020-05-12 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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