一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
公开
摘要
本发明涉及到单晶硅压力传感器的制造方法及其结构。本发明提供了一种单晶硅压力传感器单面加工的新方法和单晶硅绝对压力传感器的盒式结构。本发明具有制造工艺简单、成品率高、成本低，与集成电路工艺兼容性好等优点
基本信息
专利标题 ：
一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1047420A
申请号 ：
CN89103289.4
公开（公告）日 ：
1990-11-28
申请日 ：
1989-05-18
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
李志坚罗跃林郑心畬刘理天
申请人 ：
清华大学
申请人地址 ：
北京市海淀区清华园
代理机构 ：
清华大学专利事务所
代理人 ：
胡兰芝
优先权 ：
CN89103289.4
主分类号 ：
H01L49/00
IPC分类号 ：
H01L49/00 G01L9/00 G01L13/06
法律状态
1990-11-28 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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