电容式压力传感器及其制造方法
公开
摘要
本发明提供一种电容式压力传感器及其制造方法。所述电容式压力传感器，包括基板、硅层、氧化层、第一氮化硅层与第二氮化硅层。氧化层设置于基板与硅层之间。硅层具有多个孔洞。氧化层具有一开口，以使氧化层与硅层构成一空腔。第一氮化硅层填入每个孔洞中，以密封所述空腔。第二氮化硅层则介于第一氮化硅层与硅层的外缘之间以及介于第一氮化硅层与氧化层的外缘之间，且所述第二氮化硅层的厚度小于第一氮化硅层的厚度。
基本信息
专利标题 ：
电容式压力传感器及其制造方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114577371A
申请号 ：
CN202110659787.2
公开（公告）日 ：
2022-06-03
申请日 ：
2021-06-15
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
何昆政陈旷举刘汉英
申请人 ：
新唐科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾新竹科学工业园区
代理机构 ：
北京三友知识产权代理有限公司
代理人 ：
刘静
优先权 ：
CN202110659787.2
主分类号 ：
G01L1/14
IPC分类号 ：
G01L1/14 G01L9/12
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/14
通过测量电元件的电容量或电感量的变化，例如，测量电振荡器的频率变化
法律状态
2022-06-03 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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