一种电容式压力传感器及其制备方法
公开
摘要
本发明公开了一种电容式压力传感器及其制备方法，属于传感器技术领域，包括第一电极和第二电极；第一电极为掺杂后的硅片；第二电极为在掺杂后的硅片上悬空后形成的膜层；第一电极和第二电极之间设置绝缘区。本发明的一种电容式压力传感器的制备方法，在硅迁移后的悬空的膜层上进行热氧化绝缘的处理，利用第一电极掺杂后的硅片、第二电极膜层，通过利用于氧化硅的绝缘性在单片硅片上形成上下两个电极以及一个绝缘的腔体，构成特殊结构的两层硅作为压力传感器，具备高绝缘性的同时简化了传统的制备工艺。
基本信息
专利标题 ：
一种电容式压力传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114608728A
申请号 ：
CN202210229332.1
公开（公告）日 ：
2022-06-10
申请日 ：
2022-03-10
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
许森
申请人 ：
苏州敏芯微电子技术股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号纳米城NW09-102
代理机构 ：
深圳紫藤知识产权代理有限公司
代理人 ：
方世栋
优先权 ：
CN202210229332.1
主分类号 ：
G01L1/14
IPC分类号 ：
G01L1/14
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/14
通过测量电元件的电容量或电感量的变化，例如，测量电振荡器的频率变化
法律状态
2022-06-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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