一种电容式压力传感器及其制作方法

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摘要

本发明公开了一种电容式压力传感器及其制作方法，主要解决现有压力传感器线性范围小的问题，其自下而上包括单晶硅衬底(1)、绝缘层(2)、隔离层(3)和多晶硅薄膜(4)，该绝缘层(2)是由从上至下半径逐渐减小的N个层叠圆形台阶组成，N≥2，每层圆形台阶的厚度相同，半径不同，该多晶硅薄膜(4)上刻蚀有用于腐蚀隔离层(3)的通孔(5)，隔离层(3)通过腐蚀形成空腔(6)，多晶硅薄膜(4)和单晶硅衬底(1)上淀积有金属电极(8)，所述隔离层、通孔和多晶硅薄膜上除金属电极(8)区域外的其他表面覆盖有钝化层(7)。本发明线性范围大、工艺简单、成品率高，可用于汽车系统和工业领域中对大范围压力的测量。

基本信息

专利标题：

一种电容式压力传感器及其制作方法

专利标题（英）：

暂无

公开（公告）号：

CN110510572A

申请号：

CN201910817636.8

公开（公告）日：

2019-11-29

申请日：

2019-08-30

授权号：

CN110510572B

授权日：

2022-06-10

发明人：

杨翠史芝纲毛维

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

陕西省西安市太白南路2号

代理机构：

陕西电子工业专利中心

代理人：

王品华

优先权：

CN201910817636.8

主分类号：

B81B7/02

IPC分类号：

B81B7/02 B81C1/00 G01L1/14 G01L9/12