压力传感器及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本申请涉及一种压力传感器，包括硅片和柔性薄膜，硅片的一侧设置至少一力敏电阻，柔性薄膜包覆硅片，柔性薄膜的厚度大于或等于硅片的厚度。本申请还涉及一种压力传感器的制备方法，提供硅片，硅片的一侧设置至少一力敏电阻；形成包覆硅片的柔性薄膜，得到压力传感器。本申请将硅片制成的力敏元件包埋于柔性薄膜中，可以提高器件的柔性，减少器件本身对监测环境的压力干扰，可实现对接触界面压力的精准监测。
基本信息
专利标题 ：
压力传感器及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114544046A
申请号 ：
CN202111581041.0
公开（公告）日 ：
2022-05-27
申请日 ：
2021-12-22
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
冯雪杜琦峰陈颖
申请人 ：
浙江清华柔性电子技术研究院;清华大学
申请人地址 ：
浙江省嘉兴市南湖区亚太路906号17号楼
代理机构 ：
上海波拓知识产权代理有限公司
代理人 ：
林丽璀
优先权 ：
CN202111581041.0
主分类号 ：
G01L1/18
IPC分类号 ：
G01L1/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2022-06-14 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : G01L 1/18
申请日 : 20211222
申请日 : 20211222
2022-05-27 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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