制作压力传感器的方法
发明专利申请公布后的驳回
摘要
本发明公开了一种制作压力传感器的方法。所述方法包括提供一硅覆绝缘晶片，其包含有一单晶硅层、一绝缘层与一硅基材料层，且单晶硅层包含有一压力敏感元件。去除对应于压力敏感元件的硅基材料层与绝缘层，以形成一腔体。提供一接合基底，并利用一接合层接合硅基材料层与接合基底。
基本信息
专利标题 ：
制作压力传感器的方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN1948932A
申请号 ：
CN200510113600.X
公开（公告）日 ：
2007-04-18
申请日 ：
2005-10-13
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邵世丰杨辰雄
申请人 ：
探微科技股份有限公司
申请人地址 ：
中国台湾桃园县
代理机构 ：
北京市柳沈律师事务所
代理人 ：
陶凤波
优先权 ：
CN200510113600.X
主分类号 ：
G01L1/18
IPC分类号 ：
G01L1/18
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L1/00
力或应力的一般计量
G01L1/18
利用压电电阻材料的性质，即材料的欧姆电阻随作用于材料上的力的大小或方向的改变而变化的性质
法律状态
2009-04-22 ：
发明专利申请公布后的驳回
2007-06-13 ：
实质审查的生效
2007-04-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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