一种精简型高精度单晶硅传感器
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摘要
本实用新型涉及一种精简型高精度单晶硅传感器，烧结底座的下部内嵌槽安装有单晶硅芯片；烧结底座的上部连接有螺纹接头；烧结底座横向设置有芯体管路；烧结底座的底部连接有高压基座和低压基座；高压基座和低压基座之间夹持开设有中心腔室；高压基座和低压基座的内部均开设有基座管路；中心腔室的两侧壁均通过基座管路与烧结底座相连通；高压基座和低压基座的中部还横向贯穿开设有隔离腔室；高压基座和低压基座的外侧壁均安装有隔离膜片；隔离腔室与中心腔室相互连通。本技术方案能够提供一种结构精简、生产成本低且填充液中段经过中心腔室，保护芯片不受冲击而损坏，提高单晶硅差压传感器的使用寿命。
基本信息
专利标题 ：
一种精简型高精度单晶硅传感器
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
暂无
申请号 ：
CN202123026425.4
公开（公告）日 ：
暂无
申请日 ：
2021-12-06
授权号 ：
CN216695388U
授权日 ：
2022-06-07
发明人 ：
王旭马志强
申请人 ：
南京沃天科技股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省南京市江宁区滨江开发区闻莺路
代理机构 ：
南京中软知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人 ：
郑燕飞
优先权 ：
CN202123026425.4
主分类号 ：
G01L13/06
IPC分类号 ：
G01L13/06
IPC结构图谱
G
G部——物理
G01
测量；测试
G01L
测量力、应力、转矩、功、机械功率、机械效率或流体压力
G01L13/00
测量两个或更多个流体压力差值的设备或仪表
G01L13/06
应用电或磁的压敏元件的
法律状态
2022-06-07 ：
授权
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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