硅片制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种硅片制备方法,取一端面晶向为目标晶向±3°的硅材,采用刀具对该硅材的一侧面进行切割,将硅材切割出硅片;以所述端面为基准面,以所述侧面为切割面;每次切割包括如下步骤:在切割面开槽,以所述槽为基准槽,基准槽与基准面平行;将刀具的刀刃嵌入基准槽,刀刃平行于基准面,通过刀刃对基准槽施加一定的压力,使硅材在基准槽处自然解理断开。本发明可在硅材近乎无损耗的情况下,实现硅片的制备;可提高硅片的出片率,降低单片硅片的硅料成本。本发明解决了目前硅片切割过程中的硅损大、噪声大、粉尘多、废水多等问题,实现了硅片的低成本绿色加工。
基本信息
专利标题 :
硅片制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114347282A
申请号 :
CN202210055421.9
公开(公告)日 :
2022-04-15
申请日 :
2022-01-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
宫龙飞张小东符黎明
申请人 :
常州时创能源股份有限公司
申请人地址 :
江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN202210055421.9
主分类号 :
B28D5/00
IPC分类号 :
B28D5/00
IPC结构图谱
B
B部——作业;运输
B28
加工水泥、黏土或石料
B28D
加工石头或类似石头的材料
B28D5/00
宝石、宝石饰物、结晶体的精细加工,例如半导体材料的精加工;所用设备
法律状态
2022-05-03 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : B28D 5/00
申请日 : 20220118
申请日 : 20220118
2022-04-15 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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