硅片的转角输送方法
授权
摘要

本发明公开了本发明提供一种硅片的转角输送方法,采用转角输送装置改变硅片的输送方向,使硅片的输送方向由第一水平方向改变为第二水平方向,且第二水平方向与第一水平方向相垂直。本发明能适应多种宽度规格的硅片,既能适用于输送整片,也能适用于输送分片。

基本信息
专利标题 :
硅片的转角输送方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN111029288A
申请号 :
CN201911308399.9
公开(公告)日 :
2020-04-17
申请日 :
2019-12-18
授权号 :
CN111029288B
授权日 :
2022-05-31
发明人 :
王敏陈楷张云
申请人 :
常州时创能源股份有限公司
申请人地址 :
江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
代理机构 :
代理人 :
优先权 :
CN201911308399.9
主分类号 :
H01L21/677
IPC分类号 :
H01L21/677  H01L31/18  
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21/677
用于传送的,例如在不同的工作站之间
法律状态
2022-05-31 :
授权
2020-05-12 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/677
申请日 : 20191218
2020-04-17 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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