一种硅片截面试样的制备方法
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摘要
本发明涉及金相制样领域，提供一种硅片截面试样的制备方法，用于解决硅片易崩碎的问题。本发明提供的一种硅片截面试样的制备方法，包括：S10.取硅片，采用金刚石刀片进行切割，得到预处理硅片；S20.采用金刚石磨片对预处理硅片进行研磨，得到研磨后的硅片，所述金刚石磨片的粒度为0.5~45μm；S30.采用抛光布和氧化物抛光液对研磨后的硅片进行抛光，得到硅片截面试样。可以获得平整光亮的表面，便于进行下一步检测。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片截面试样的制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN111673932A
申请号 ：
CN202010316266.2
公开（公告）日 ：
2020-09-18
申请日 ：
2020-04-21
授权号 ：
CN111673932B
授权日 ：
2022-05-20
发明人 ：
林宗秀
申请人 ：
广州领拓仪器科技有限公司
申请人地址 ：
广东省广州市番禺区东环街番禺大道北555号番禺节能科技园内天安科技发展大厦603之一
代理机构 ：
广州一锐专利代理有限公司
代理人 ：
杨昕昕
优先权 ：
CN202010316266.2
主分类号 ：
B28D5/02
IPC分类号 ：
B28D5/02 B28D7/02 B24B7/22 B24B37/04 B24B29/00 B24B55/02 G01N1/28
相关图片
IPC结构图谱
B
B部——作业；运输
B28
加工水泥、黏土或石料
B28D
加工石头或类似石头的材料
B28D5/00
宝石、宝石饰物、结晶体的精细加工，例如半导体材料的精加工；所用设备
B28D5/02
用旋转工具的，例如钻具
法律状态
2022-05-20 ：
授权
2020-10-20 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : B28D 5/02
申请日 : 20200421
申请日 : 20200421
2020-09-18 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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