本发明公开了一种特殊结构的硅片，除具有硅基板外，还具有氧化膜和氮化硅两层膜结构，其中OX膜结构置于硅基板和氮化硅之间。该硅片可应用于半导体制造监控工艺中作为挡控片，即用作填充片和制程监控的硅片。本发明还提出了所涉及硅片的制备方法，即在硅基板上首先采用炉管或者化学气相沉积法生长OX膜结构，膜厚控制在50埃到500埃之间；然后在所述OX膜结构上采用炉管或者化学气相沉积法生长氮化硅膜结构，膜厚控制在500埃到3000埃。本发明中硅片不易受到环境的影响而产生很多污染及干扰，可以延长挡控片的使用寿命并保证颗粒测量的精确度，并最终提高半导体制造监控工艺的准确性，降低生产成本。