本发明公开了复合铜膜结构蚀刻方法，包括如下步骤，获取复合铜膜结构；在铜膜层上设置第一光阻，利用蚀刻液蚀刻铜膜层和电阻层；蚀刻电阻层所用的蚀刻液的组分包括，溶剂；第一蚀刻剂，溶于溶剂中，第一蚀刻剂与溶剂的质量体积比为1:4‑1:16；第一蚀刻剂为硝酸铈、硝酸铵和硝酸铵铈中的至少一种；第二蚀刻剂，溶于溶剂中，第二蚀刻剂与溶剂的体积比为1:1‑1:6；第二蚀刻剂为硫酸、过氧硫酸和亚硝酸中的至少一种；其中，第二蚀刻剂与第一蚀刻剂的体积质量比介于1:1至1:6之间。能够完全蚀刻掉未被光阻保护的电阻层区域，避免出现残存的电阻层，且不会蚀刻铜膜层，提高了加工精度；不影响铜膜和基材层的表面形貌及其介电常数。