本发明公开了复合铜膜结构用蚀刻液，包括溶剂；第一蚀刻剂，溶于溶剂中，第一蚀刻剂与溶剂的体积比为1:1‑1:6；第一蚀刻剂为硝酸和亚硝酸中的至少一种；第二蚀刻剂，溶于溶剂中，第二蚀刻剂与溶剂的体积比为1:1‑1:6；第二蚀刻剂为硫酸、过氧硫酸和亚硝酸中的至少一种；第三蚀刻剂，溶于溶剂中，第三蚀刻剂与溶剂的体积比为1:2‑1:21；第三蚀刻剂为盐酸、次氯酸和高氯酸中的至少一种；第二蚀刻剂、第三蚀刻剂与第一蚀刻剂三者的体积比介于1:1:1至1:0.25:0.25之间。本蚀刻液能够完全蚀刻掉未被光阻保护的电阻层区域，避免铜膜上金属线路的边缘出现黑边，且不会蚀刻铜膜，有效提高加工精度。