一种反射薄膜结构及其制备方法
实质审查的生效
摘要

本公开提供了反射薄膜结构及其制备方法,该反射薄膜结构包括:在基板上依次沉积的预设数量的反射薄膜单元;其中,每个反射薄膜单元至少包括:第一薄膜层和第二薄膜层,第一薄膜层和第二薄膜层均由相同的相变材料制成,第一薄膜层为相变材料的晶体态,第二薄膜层为相变材料的非晶体态,以使第一薄膜层的第一折射率和第二薄膜层的第二折射率不同。本实施例通过使用同种相变材料的沉积作为反射薄膜结构的基本层级,并改变其中一部分薄膜层级的晶相形态实现层级之间不同折射率的实现,在保证反射薄膜结构的反射效率的基础上,使反射薄膜结构在制备过程中工艺流程更简单,更适用于低成本大面积制备。

基本信息
专利标题 :
一种反射薄膜结构及其制备方法
专利标题(英):
暂无
公开(公告)号 :
CN114552382A
申请号 :
CN202210152363.1
公开(公告)日 :
2022-05-27
申请日 :
2022-02-18
授权号 :
暂无
授权日 :
暂无
发明人 :
孟虎周健
申请人 :
北京京东方技术开发有限公司;京东方科技集团股份有限公司
申请人地址 :
北京市大兴区北京经济技术开发区地泽路9号1幢407室
代理机构 :
北京金信知识产权代理有限公司
代理人 :
庄何媛
优先权 :
CN202210152363.1
主分类号 :
H01S5/183
IPC分类号 :
H01S5/183  C23C14/04  C23C14/06  C23C14/35  G02B5/08  
法律状态
2022-06-14 :
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01S 5/183
申请日 : 20220218
2022-05-27 :
公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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