一种新型N型硅片及其制备方法
实质审查的生效
摘要
本发明公开了一种新型N型硅片及其制备方法，所述新型N型硅片的制备方法包括如下步骤：（1）将单晶硅棒切割成长方形硅片；（2）对步骤（1）的长方形硅片进行预腐蚀清洗，去除硅片表面损伤层；（3）对步骤（2）的长方形硅片进行链式高温吸杂处理，在硅片表面形成一层吸杂层，获得新型N型硅片。本发明提高了切片工艺的TTV良率，更容易实现切更薄的硅片，有效提高了切割品质和硅棒利用率；消除了切割损伤，进而消除现有整片电池片因为切割损伤带来的效率和功率损失。本发明的新型N型硅片降低了硅片本体的金属杂质含量，提高了硅片的质量水平，进一步降低了片源质量波动，使得硅片质量处于可控的稳定状态。
基本信息
专利标题 ：
一种新型N型硅片及其制备方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114446834A
申请号 ：
CN202210108946.4
公开（公告）日 ：
2022-05-06
申请日 ：
2022-01-28
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
任常瑞董建文符黎明
申请人 ：
常州时创能源股份有限公司
申请人地址 ：
江苏省常州市溧阳市溧城镇吴潭渡路8号
代理机构 ：
代理人 ：
优先权 ：
CN202210108946.4
主分类号 ：
H01L21/67
IPC分类号 ：
H01L21/67 B28D5/00
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/67
专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
法律状态
2022-05-24 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/67
申请日 : 20220128
申请日 : 20220128
2022-05-06 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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