一种硅片处理方法和硅片处理装置
实质审查的生效
摘要
本发明实施例提供了一种硅片处理方法和硅片处理装置，硅片处理方法包括：提供硅片；提供反应气体，其中，所述反应气体至少包括含氧气体和含卤气体；在第一预设温度下，采用所述含氧气体与所述硅片的表面反应，以使所述硅片的表面形成保护膜；在第二预设温度下，采用所述含卤气体与形成所述保护膜的所述硅片的表面反应，以去除所述硅片的表面的金属杂质，其中，所述硅片的基体内的金属杂质在所述第二预设温度下可扩散至所述硅片的表面。可以有效提高所述硅片的纯度，并降低对所述硅片纯化的成本。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片处理方法和硅片处理装置
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN114457410A
申请号 ：
CN202111677988.1
公开（公告）日 ：
2022-05-10
申请日 ：
2021-12-31
授权号 ：
暂无
授权日 ：
暂无
发明人 ：
邓浩韩伟李侨董升周锐
申请人 ：
隆基绿能科技股份有限公司
申请人地址 ：
陕西省西安市长安区航天中路388号
代理机构 ：
北京润泽恒知识产权代理有限公司
代理人 ：
赵娟
优先权 ：
CN202111677988.1
主分类号 ：
C30B15/00
IPC分类号 ：
C30B15/00 C30B29/06 C01B33/037 C30B33/00
IPC结构图谱
C
C部——化学；冶金
C30
晶体生长
C30B
单晶生长；共晶材料的定向凝固或共析材料的定向分层；材料的区熔精炼；具有一定结构的均匀多晶材料的制备；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料；单晶或具有一定结构的均匀多晶材料之后处理；其所用的装置
C30B15/00
熔融液提拉法的单晶生长，例如Czochralski法
法律状态
2022-05-27 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : C30B 15/00
申请日 : 20211231
申请日 : 20211231
2022-05-10 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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