本申请实施例提供了一种硅片处理方法和装置。所述硅片处理方法包括：对硅片进行抛光处理，以去除硅片表面的损伤层；提供反应气体，其中，所述反应气体至少包括氧气和含卤气体；在第一预设温度下，采用所述氧气和所述含卤气体与所述硅片的表面反应，在所述硅片的表面形成微绒面，并去除所述硅片的金属杂质。本申请实施例可以减少化学品和水资源的消耗，减小硅片微绒面制作过程对于环境的影响，避免对硅片及其微绒面造成损伤，还有利于形成覆盖率更高和纵横比更高的微结构，以增强所述微绒面的陷光效果，提升所述微绒面的质量。而且，还可以去除所述硅片表面的金属杂质，提高了所述硅片的纯度。