一种硅片电泳前的处理方法
授权
摘要
本发明公开了一种硅片电泳前的处理方法，包括：取烧完胶的硅片，在硫酸、双氧水溶液中处理6～10min，流动水冲洗5～10min，在混合酸溶液中处理1～3min，流动水冲洗5～10min，纯水静止超声15～20min，最后一级纯水电阻率冲水水阻值≥10MΩcm以上。本发明能够彻底清洁硅片沟槽，降低了产品的漏电流值，还使鸟嘴不尖锐，从而使得产品的品质、信赖性得到提升。
基本信息
专利标题 ：
一种硅片电泳前的处理方法
专利标题（英）：
暂无
公开（公告）号 ：
CN112289678A
申请号 ：
CN202011234593.X
公开（公告）日 ：
2021-01-29
申请日 ：
2020-11-07
授权号 ：
CN112289678B
授权日 ：
2022-05-13
发明人 ：
陈宏胤
申请人 ：
扬州虹扬科技发展有限公司
申请人地址 ：
江苏省扬州市邗江区北山工业园潍柴大道5号
代理机构 ：
北京文苑专利代理有限公司
代理人 ：
王怡
优先权 ：
CN202011234593.X
主分类号 ：
H01L21/02
IPC分类号 ：
H01L21/02
IPC结构图谱
H
H部——电学
H01
基本电气元件
H01L
半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21/00
专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21/02
半导体器件或其部件的制造或处理
法律状态
2022-05-13 ：
授权
2021-02-23 ：
实质审查的生效
IPC(主分类) : H01L 21/02
申请日 : 20201107
申请日 : 20201107
2021-01-29 ：
公开
注：本法律状态信息仅供参考，即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
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1、
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